TSMC exhibe músculo: estos son los chips que es capaz de fabricar sin recurrir a la máquina más avanzada de ASML
TSMC no es el mayor fabricante de semiconductores del planeta por casualidad. Morris Chang fundó esta veterana compañía taiwanesa en 1987, pero su liderazgo tardó varios años en consolidarse. En aquel momento el fabricante de circuitos integrados más importante era Intel, pero el dominio de TSMC en esta industria durante las últimas dos décadas es irrebatible. Hoy acapara aproximadamente el 60% del mercado de la fabricación de circuitos integrados, y nada indica que a corto plazo Intel o Samsung, sus dos principales competidores, vayan a conseguir disputarle su liderato.
El éxito de esta compañía se ha cimentado principalmente sobre su capacidad de fabricar chips a gran escala utilizando las tecnologías de integración más avanzadas disponibles y con un rendimiento por oblea muy alto. Aquí reside su altísima competitividad. Y, además, ha logrado preservar esta posición durante muchos años, lo que le ha ayudado a transmitir una confianza a sus clientes sólida como una roca. Su rendimiento económico no es otra cosa que una consecuencia de su trayectoria: en 2024 ingresó un 34% más que en 2023.
TSMC asegura ser capaz de llevar al límite los equipos de litografía UVE de ASML
Este fabricante de circuitos integrados ha confirmado que las pruebas de su nodo de 2 nm están siendo exitosas, por lo que podrá iniciar la fabricación a gran escala de semiconductores utilizando esta fotolitografía durante el segundo semestre de 2025. No obstante, sus planes a medio plazo no acaban aquí. Y es que a finales del pasado mes de abril anticipó durante su Conferencia Tecnológica de América del Norte que ya está probando también su siguiente tecnología de integración de vanguardia. La llamará A14 (1,4 nm), entrará en producción a gran escala en 2028 y ya conocemos algunas de sus características más interesantes.
Kevin Zhang asegura que TSMC no necesita el equipo de litografía UVE High-NA de ASML para fabricar chips de 1,4 nm
Una de sus bazas más importantes consistirá en que utilizará transistores nanosheet GAA (Gate-All-Around) de segunda generación. Los de primera generación llegarán junto a la litografía N2 (2 nm) este año. Además, esta tecnología de integración aterrizará con la promesa de hacer posible la fabricación de circuitos integrados con un mayor rendimiento, una eficiencia energética más alta y un diseño más flexible. Lo de siempre. No obstante, TSMC, afortunadamente, se ha mojado y en su evento hizo públicas algunas cifras que nos permiten valorar en qué medida será importante la llegada del nodo A14.
Y es que, según esta compañía, los circuitos integrados producidos con la litografía A14 serán un 15% más rápidos que los chips fabricados en el nodo N2 con el mismo consumo; permitirán reducir el gasto energético un 30% a la misma velocidad, y, además, pondrán sobre la mesa la posibilidad de incrementar la densidad de la lógica un 20%. Según Kevin Zhang, vicepresidente sénior y subdirector de operaciones de TSMC, el nodo A14 será atractivo tanto para fabricar chips para dispositivos de consumo como para aplicaciones estrictamente profesionales, como, por ejemplo, GPU para inteligencia artificial (IA).
No cabe duda de que las promesas de TSMC acerca de su litografía A14 suenan bien, pero hay algo más que no debemos pasar por alto. Zhang asegura que no van a utilizar los equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) y alta apertura (High-NA) que fabrica la compañía neerlandesa ASML en este nodo. Esta es toda una exhibición de capacidad técnica. Estas máquinas, las más avanzadas que existen actualmente, son adecuadas para producir circuitos integrados de 2 nm y más allá.
De hecho, la litografía 14A (1,4 nm) será la primera en la que Intel utilizará los equipos UVE de alta apertura de ASML. Sin embargo, como acabamos de ver, TSMC asegura que puede producir chips capaces de lidiar con los semiconductores equiparables de Intel y Samsung empleando los equipos UVE convencionales. 2025 será el año en el que arrancarán las litografías de 2 nm, y, por tanto, será la antesala de una batalla presumiblemente aún más cruenta: la de los 1,4 nm.
Imagen | ASML
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